Differenza Tra IGBT E GTO

2024 Autore: Mildred Bawerman | [email protected]. Ultima modifica: 2023-12-16 08:39

IGBT contro GTO

GTO (Gate Turn-off Thyristor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono due tipi di dispositivi semiconduttori con tre terminali. Entrambi vengono utilizzati per controllare le correnti e per scopi di commutazione. Entrambi i dispositivi hanno un terminale di controllo chiamato "gate", ma hanno principi di funzionamento diversi.

GTO (Gate Turn-off Thyristor)

GTO è costituito da quattro strati semiconduttori di tipo P e N e la struttura del dispositivo è leggermente diversa rispetto a un normale tiristore. In analisi, GTO è anche considerato come coppia accoppiata di transistor (uno PNP e l'altro in configurazione NPN), come per i tiristori normali. Tre terminali di GTO sono chiamati "anodo", "catodo" e "cancello".

Durante il funzionamento, il tiristore agisce in modo conduttivo quando viene fornito un impulso al gate. Ha tre modalità di funzionamento note come "modalità di blocco inverso", "modalità di blocco in avanti" e "modalità di conduzione in avanti". Una volta che il gate viene attivato con l'impulso, il tiristore passa alla "modalità di conduzione diretta" e continua a condurre fino a quando la corrente diretta diventa inferiore alla soglia di "corrente di mantenimento".

Oltre alle caratteristiche dei normali tiristori, lo stato "spento" del GTO è controllabile anche tramite impulsi negativi. Nei tiristori normali, la funzione "off" avviene automaticamente.

I GTO sono dispositivi di alimentazione e vengono utilizzati principalmente nelle applicazioni in corrente alternata.

Transistor bipolare a gate isolato (IGBT)

L'IGBT è un dispositivo a semiconduttore con tre terminali noti come "Emettitore", "Collettore" e "Porta". È un tipo di transistor che può gestire una maggiore quantità di potenza e ha una maggiore velocità di commutazione che lo rende altamente efficiente. L'IGBT è stato introdotto sul mercato negli anni '80.

L'IGBT ha le caratteristiche combinate di MOSFET e transistor a giunzione bipolare (BJT). È pilotato da gate come MOSFET e ha caratteristiche di tensione di corrente come BJT. Pertanto presenta i vantaggi sia della capacità di gestione della corrente elevata che della facilità di controllo. I moduli IGBT (costituiti da un numero di dispositivi) gestiscono kilowatt di potenza.

Qual è la differenza tra IGBT e GTO?

1. Tre terminali di IGBT sono noti come emettitore, collettore e gate, mentre GTO ha terminali noti come anodo, catodo e gate.

2. Il gate del GTO necessita solo di un impulso per la commutazione, mentre l'IGBT necessita di un'alimentazione continua della tensione di gate.

3. IGBT è un tipo di transistor e GTO è un tipo di tiristore, che può essere considerato come una coppia di transistor strettamente accoppiati in analisi.

4. L'IGBT ha solo una giunzione PN e GTO ne ha tre

5. Entrambi i dispositivi vengono utilizzati in applicazioni ad alta potenza.

6. GTO necessita di dispositivi esterni per controllare gli impulsi di accensione e spegnimento, mentre l'IGBT non ne ha bisogno.