Differenza Tra BJT E IGBT

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Video: Differenza Tra BJT E IGBT

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Video: MOSFET BJT или IGBT - Краткое сравнение Базовые компоненты # 004 2024, Marzo
Anonim

BJT vs IGBT

BJT (Bipolar Junction Transistor) e IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) sono due tipi di transistor utilizzati per controllare le correnti. Entrambi i dispositivi hanno giunzioni PN e differenti nella struttura del dispositivo. Sebbene entrambi siano transistor, presentano differenze significative nelle caratteristiche.

BJT (transistor a giunzione bipolare)

BJT è un tipo di transistor costituito da due giunzioni PN (una giunzione realizzata collegando un semiconduttore di tipo ap e un semiconduttore di tipo n). Queste due giunzioni vengono formate utilizzando il collegamento di tre pezzi di semiconduttore nell'ordine PNP o NPN. Pertanto sono disponibili due tipi di BJT, noti come PNP e NPN.

Tre elettrodi sono collegati a queste tre parti semiconduttori e il conduttore centrale è chiamato "base". Altre due giunzioni sono "emettitore" e "collettore".

In BJT, la corrente dell'emettitore di grande collettore (I c) è controllata dalla corrente dell'emettitore di base piccola (I B) e questa proprietà viene sfruttata per progettare amplificatori o interruttori. Pertanto, può essere considerato come un dispositivo pilotato da corrente. BJT è utilizzato principalmente nei circuiti di amplificazione.

IGBT (transistor bipolare a gate isolato)

L'IGBT è un dispositivo a semiconduttore con tre terminali noti come "Emettitore", "Collettore" e "Porta". È un tipo di transistor, che può gestire una maggiore quantità di potenza e ha una velocità di commutazione maggiore che lo rende altamente efficiente. L'IGBT è stato introdotto sul mercato negli anni '80.

L'IGBT ha le caratteristiche combinate di MOSFET e transistor a giunzione bipolare (BJT). È pilotato da gate come MOSFET e ha caratteristiche di tensione di corrente come BJT. Pertanto presenta i vantaggi sia della capacità di gestione di correnti elevate sia della facilità di controllo. I moduli IGBT (costituiti da un numero di dispositivi) gestiscono kilowatt di potenza.

Differenza tra BJT e IGBT

1. BJT è un dispositivo pilotato in corrente, mentre IGBT è pilotato dalla tensione di gate

2. I terminali di IGBT sono noti come emettitore, collettore e gate, mentre BJT è composto da emettitore, collettore e base.

3. Gli IGBT sono migliori nella gestione della potenza rispetto ai BJT

4. IGBT può essere considerato come una combinazione di BJT e FET (Field Effect Transistor)

5. L'IGBT ha una struttura del dispositivo complessa rispetto al BJT

6. Il BJT ha una lunga storia rispetto all'IGBT

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